8GB SAMSUNG DDR3-1333 Reg ECC CL9

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    • Arbeitsspeicher
    • Hersteller: Samsung
    • Arbeitsspeicher: 8GB
    • Konfiguration der Speicherriegel: 1 Modul
    • Arbeitsspeicher-Typ: DDR3-1333MHz (PC3-10666)
    • CAS latency (CL): 9
    • Spannung: 1,35 Volt
    • Besonderheiten: Registered  •  Error Correcting Codes (ECC)

    Alternative Produktvorschlägefür 8GB SAMSUNG DDR3-1333 Reg ECC CL9

    Das Produkt 8GB SAMSUNG DDR3-1333 Reg ECC CL9 ist seit dem 12.06.2019 nicht mehr erhältlich.
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    Produktdatenblatt für Arbeitsspeicher 8GB SAMSUNG DDR3-1333 Reg ECC CL9

    zu den alternativen Produktvorschlägen
    HerstellerSamsung, Samsung DDR3-RAM, www.samsung.com/de
    Artikelnummer des HerstellersM393B1K70DH0-YH9
    Markteinführung 04.03.2013
    Kapazität
    Arbeitsspeicher 8GB
    Konfiguration der Speicherriegel 1 Modul
    Geschwindigkeit
    Arbeitsspeicher-Typ DDR3-1333MHz (PC3-10666)
    CAS latency (CL) 9
    Ras to Cas delay (tRCD) 9
    Row Precharge (tRP) 9
    Speicheraufbau
    Anzahl der RAM-Module 1
    Spannung 1,35 Volt
    Speicher Sockel DIMM
    Ausstattung
    Besonderheiten Registered  •  Error Correcting Codes (ECC)
    Produktseite beim Hersteller
    QuelleHardwareSchotte.de
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