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4GB Silicon Power DDR3-1600 SO-DIMM CL11
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- Arbeitsspeicher
- Hersteller: Silicon Power
- Arbeitsspeicher: 4 GB
- Konfiguration der Speicherriegel: 1 Modul
- Arbeitsspeicher-Typ: DDR3-1600MHz (PC3-12800)
- CAS latency (CL): 11
- Spannung: 1,5 Volt
- Ras to Cas delay (tRCD): 11
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Disclaimer
Preistrend
Preisüberwachung
| Hersteller | Silicon Power |
|---|---|
| Artikelnummer des Herstellers | SP004GBSTU160N02 |
| Markteinführung | 26.12.2014 |
| Kapazität | |
| Arbeitsspeicher | 4 GB |
| Konfiguration der Speicherriegel | 1 Modul |
| Geschwindigkeit | |
| Arbeitsspeicher-Typ | DDR3-1600MHz (PC3-12800) |
| CAS latency (CL) | 11 |
| Ras to Cas delay (tRCD) | 11 |
| Row Precharge (tRP) | 11 |
| Speicheraufbau | |
| Anzahl der RAM-Module | 1 |
| Spannung | 1,5 Volt |
| Speicher Sockel | SO-DIMM |
| Ausstattung | |
| Besonderheiten | - |
| Weiteres | |
| Variante | 512Mx8 |
| Produktseite beim Hersteller | |
| Quelle | HardwareSchotte.de |
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