4GB Silicon Power DDR3-1600 SO-DIMM CL11

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Kapazität
Hersteller	Silicon Power
Artikelnummer des Herstellers	SP004GBSTU160N02
Markteinführung	26.12.2014
Arbeitsspeicher	4 GB
Konfiguration der Speicherriegel	1 Modul
Geschwindigkeit
Arbeitsspeicher-Typ	DDR3-1600MHz (PC3-12800)
CAS latency (CL)	11
Ras to Cas delay (tRCD)	11
Row Precharge (tRP)	11
Speicheraufbau
Anzahl der RAM-Module	1
Spannung	1,5 Volt
Speicher Sockel	SO-DIMM
Ausstattung
Besonderheiten	-
Weiteres
Variante	512Mx8
Produktseite beim Hersteller	(besseren Produktlink vorschlagen)
Quelle	HardwareSchotte.de
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