4GB Samsung DDR3-1600 CL11

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    • Arbeitsspeicher
    • Hersteller: Samsung
    • Arbeitsspeicher: 4 GB
    • Konfiguration der Speicherriegel: 1 Modul
    • Arbeitsspeicher-Typ: DDR3-1600MHz (PC3-12800)
    • CAS latency (CL): 11
    • Spannung: 1,5 Volt
    • Aufbau des Riegels: Single-Rank

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    1.
    Preis vom 28.03.2024 19:48

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    2.
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    Produktdatenblatt für Arbeitsspeicher 4GB Samsung DDR3-1600 CL11

    zu den Preisen
    HerstellerSamsung , Samsung DDR3-RAM
    Artikelnummer des HerstellersM378B5173DB0-CK0
    Markteinführung 03.01.2014
    Kapazität
    Arbeitsspeicher 4 GB
    Konfiguration der Speicherriegel 1 Modul
    Geschwindigkeit
    Arbeitsspeicher-Typ DDR3-1600MHz (PC3-12800)
    CAS latency (CL) 11
    Ras to Cas delay (tRCD) 11
    Row Precharge (tRP) 11
    Speicheraufbau
    Anzahl der RAM-Module 1
    Spannung 1,5 Volt
    Speicher Sockel DIMM
    Ausstattung
    Speicherhöhe 3 cm
    Aufbau des Riegels Single-Rank
    Produktseite beim Hersteller
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    QuelleHardwareSchotte.de
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