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4GB SAMSUNG SO-DIMM DDR3-1600 CL11

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Arbeitsspeicher
Hersteller: Samsung
Arbeitsspeicher: 4 GB
Konfiguration der Speicherriegel: 1 Modul
Arbeitsspeicher-Typ: DDR3-1600MHz (PC3-12800)
CAS latency (CL): 11
Spannung: 1,5 Volt
Ras to Cas delay (tRCD): 11

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Produktdatenblatt für Arbeitsspeicher 4GB SAMSUNG SO-DIMM DDR3-1600 CL11

Hersteller	Samsung
Artikelnummer des Herstellers	M471B5273DH0-CK0
Markteinführung	13.04.2012

Kapazität
Arbeitsspeicher	4 GB
Konfiguration der Speicherriegel	1 Modul

Geschwindigkeit
Arbeitsspeicher-Typ	DDR3-1600MHz (PC3-12800)
CAS latency (CL)	11
Ras to Cas delay (tRCD)	11
Row Precharge (tRP)	11

Speicheraufbau
Anzahl der RAM-Module	1
Spannung	1,5 Volt
Speicher Sockel	SO-DIMM

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Quelle	HardwareSchotte.de
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