8GB SAMSUNG DDR3L-1600 SODIMM CL11 (M471B1G73EB0-YK0)

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8 Bewertungen

Arbeitsspeicher
Hersteller: Samsung
Arbeitsspeicher: 8 GB
Konfiguration der Speicherriegel: 1 Modul
Arbeitsspeicher-Typ: DDR3L-1600MHz (PC3L-12800)
CAS latency (CL): 11
Spannung: 1,35 Volt
Speicherhöhe: 3 cm

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Produktdatenblatt für Arbeitsspeicher 8GB SAMSUNG DDR3L-1600 SODIMM CL11 (M471B1G73EB0-YK0)

zu den Preisen

Kapazität
Hersteller	Samsung
Artikelnummer des Herstellers	M471B1G73EB0-YK0
Markteinführung	22.09.2015
Arbeitsspeicher	8 GB
Konfiguration der Speicherriegel	1 Modul
Geschwindigkeit
Arbeitsspeicher-Typ	DDR3L-1600MHz (PC3L-12800)
CAS latency (CL)	11
Ras to Cas delay (tRCD)	11
Row Precharge (tRP)	11
Speicheraufbau
Anzahl der RAM-Module	1
Spannung	1,35 Volt
Speicher Sockel	SO-DIMM
Ausstattung
Besonderheiten	-
Speicherhöhe	3 cm
Weiteres
Variante	512M x8 Dual-Rank Chips
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Quelle	HardwareSchotte.de
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