4GB Samsung DDR4-2666 CL19 SODIMM Kit (M471A5244CB0-CTD)

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    • Arbeitsspeicher
    • Hersteller: Samsung
    • Arbeitsspeicher: 4 GB
    • Konfiguration der Speicherriegel: 1 Modul
    • Arbeitsspeicher-Typ: DDR4-2666MHz (PC4-21300)
    • CAS latency (CL): 19
    • Spannung: 1,2 Volt
    • Speicherhöhe: 3 cm

    Alternative Produktvorschlägefür 4GB Samsung DDR4-2666 CL19 SODIMM Kit (M471A5244CB0-CTD)

    Das Produkt 4GB Samsung DDR4-2666 CL19 SODIMM Kit (M471A5244CB0-CTD) ist seit dem 08.04.2024 nicht mehr erhältlich.
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    Produktdatenblatt für Arbeitsspeicher 4GB Samsung DDR4-2666 CL19 SODIMM Kit (M471A5244CB0-CTD)

    zu den alternativen Produktvorschlägen
    HerstellerSamsung
    Artikelnummer des HerstellersM471A5244CB0-CTD
    Markteinführung 07.05.2017
    Kapazität
    Arbeitsspeicher 4 GB
    Konfiguration der Speicherriegel 1 Modul
    Geschwindigkeit
    Arbeitsspeicher-Typ DDR4-2666MHz (PC4-21300)
    CAS latency (CL) 19
    Ras to Cas delay (tRCD) 19
    Row Precharge (tRP) 19
    Speicheraufbau
    Anzahl der RAM-Module 1
    Spannung 1,2 Volt
    Speicher Sockel SO-DIMM
    Ausstattung
    Besonderheiten -
    Speicherhöhe 3 cm
    Aufbau des Riegels Single-Rank
    Weiteres
    Herstellergarantie 2 Jahre
    Produktseite beim Hersteller
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    QuelleHardwareSchotte.de
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