4GB SAMSUNG DDR3L-1600 SODIMM CL11

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    • Arbeitsspeicher
    • Hersteller: Samsung
    • Arbeitsspeicher: 4 GB
    • Konfiguration der Speicherriegel: 1 Modul
    • Arbeitsspeicher-Typ: DDR3L-1600MHz (PC3L-12800)
    • CAS latency (CL): 11
    • Spannung: 1,35 Volt
    • Ras to Cas delay (tRCD): 11

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    Produktdatenblatt für Arbeitsspeicher 4GB SAMSUNG DDR3L-1600 SODIMM CL11

    zu den alternativen Produktvorschlägen
    Hersteller Samsung
    Artikelnummer des Herstellers M471B5173EB0-YK0
    Markteinführung 29.09.2015
    Kapazität
    Arbeitsspeicher 4 GB
    Konfiguration der Speicherriegel 1 Modul
    Geschwindigkeit
    Arbeitsspeicher-Typ DDR3L-1600MHz (PC3L-12800)
    CAS latency (CL) 11
    Ras to Cas delay (tRCD) 11
    Row Precharge (tRP) 11
    Speicheraufbau
    Anzahl der RAM-Module 1
    Spannung 1,35 Volt
    Speicher Sockel SO-DIMM
    Ausstattung
    Besonderheiten -
    Weiteres
    Variante 512M x8 Chips
    Variante M471B5173EB0-YK0
    Tiefe 3 cm
    Breite 6,76 cm
    Höhe 0,38 cm
    Produktseite beim Hersteller
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    Quelle HardwareSchotte.de
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