8GB Samsung DDR4-2666 Reg ECC CL19

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    • Arbeitsspeicher
    • Hersteller: Samsung
    • Arbeitsspeicher: 8GB
    • Konfiguration der Speicherriegel: 1 Modul
    • Arbeitsspeicher-Typ: DDR4-2666MHz (PC4-21300)
    • CAS latency (CL): 19
    • Spannung: 1,2 Volt
    • Besonderheiten: Registered  •  Error Correcting Codes (ECC)

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    Das Produkt 8GB Samsung DDR4-2666 Reg ECC CL19 ist seit dem 26.06.2022 nicht mehr erhältlich.
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    Produktdatenblatt für Arbeitsspeicher 8GB Samsung DDR4-2666 Reg ECC CL19

    zu den alternativen Produktvorschlägen
    HerstellerSamsung, Samsung DDR4-RAM, www.samsung.com/de
    Artikelnummer des HerstellersM393A1K43BB1-CTD
    Markteinführung 05.07.2017
    Kapazität
    Arbeitsspeicher 8GB
    Konfiguration der Speicherriegel 1 Modul
    Geschwindigkeit
    Arbeitsspeicher-Typ DDR4-2666MHz (PC4-21300)
    CAS latency (CL) 19
    Ras to Cas delay (tRCD) 19
    Row Precharge (tRP) 19
    Speicheraufbau
    Anzahl der RAM-Module 1
    Spannung 1,2 Volt
    Speicher Sockel DIMM
    Ausstattung
    Besonderheiten Registered  •  Error Correcting Codes (ECC)
    Aufbau des Riegels Single-Rank
    Produktseite beim Hersteller
    QuelleHardwareSchotte.de
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