16GB Samsung DIMM DDR5-4800 CL40 (M323R2GA3BB0-CQK)

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    • Arbeitsspeicher
    • Hersteller: Samsung
    • Arbeitsspeicher: 16 GB
    • Konfiguration der Speicherriegel: 1 Modul
    • Arbeitsspeicher-Typ: DDR5-4800
    • CAS latency (CL): 40
    • Spannung: 1,1 Volt
    • Besonderheiten: Intel Extreme Memory Profiles (XMP)  •  on-die ECC

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    Produktdatenblatt für Arbeitsspeicher 16GB Samsung DIMM DDR5-4800 CL40 (M323R2GA3BB0-CQK)

    zu den Preisen
    HerstellerSamsung , Samsung DDR5-RAM
    Artikelnummer des HerstellersM323R2GA3BB0-CQK
    Markteinführung 23.12.2021
    Kapazität
    Arbeitsspeicher 16 GB
    Konfiguration der Speicherriegel 1 Modul
    Geschwindigkeit
    Arbeitsspeicher-Typ DDR5-4800
    CAS latency (CL) 40
    Ras to Cas delay (tRCD) 40
    Row Precharge (tRP) 40
    Precharge delay (tRAS) 77
    Speicheraufbau
    Anzahl der RAM-Module 1
    Spannung 1,1 Volt
    Speicher Sockel DIMM
    Ausstattung
    Besonderheiten Intel Extreme Memory Profiles (XMP)  •  on-die ECC
    Speicherhöhe 3,2 cm
    Aufbau des Riegels Single-Rank
    JEDEC-Norm DDR5-4800 / PC5-38400 @1.1 V
    Weiteres
    Heatspreader -
    Variante CL40-40-40-77
    Herstellergarantie 2 Jahre
    Produktseite beim Hersteller
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    QuelleHardwareSchotte.de
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