4GB PNY Performance DDR4-2666 CL19 (MD4GSD42666)

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    • Arbeitsspeicher
    • Hersteller: PNY
    • Arbeitsspeicher: 4 GB
    • Konfiguration der Speicherriegel: 1 Modul
    • Arbeitsspeicher-Typ: DDR4-2666MHz (PC4-21300)
    • CAS latency (CL): 19
    • Spannung: 1,2 Volt
    • JEDEC-Norm: DDR4-2666 / PC4-21300 @ 1,2 V
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    Produktdatenblatt für Arbeitsspeicher 4GB PNY Performance DDR4-2666 CL19 (MD4GSD42666)

    zu den Preisen
    HerstellerPNY , PNY DDR4-RAM
    Artikelnummer des HerstellersMD4GSD42666
    Markteinführung 04.05.2020
    Kapazität
    Arbeitsspeicher 4 GB
    Konfiguration der Speicherriegel 1 Modul
    Geschwindigkeit
    Arbeitsspeicher-Typ DDR4-2666MHz (PC4-21300)
    CAS latency (CL) 19
    Speicheraufbau
    Anzahl der RAM-Module 1
    Spannung 1,2 Volt
    Speicher Sockel DIMM
    Ausstattung
    Besonderheiten -
    JEDEC-Norm DDR4-2666 / PC4-21300 @ 1,2 V
    Weiteres
    Heatspreader -
    Herstellergarantie 2 Jahre / Produktlebensdauer
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    QuelleHardwareSchotte.de
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