8GB Samsung DDR4-2666 CL19 ECC (M391A1K43BB2-CTD)

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    • Arbeitsspeicher
    • Hersteller: Samsung
    • Arbeitsspeicher: 8 GB
    • Konfiguration der Speicherriegel: 1 Modul
    • Arbeitsspeicher-Typ: DDR4-2666MHz (PC4-21300)
    • CAS latency (CL): 19
    • Spannung: 1,25 Volt
    • Besonderheiten: Error Correcting Codes (ECC)
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    Produktdatenblatt für Arbeitsspeicher 8GB Samsung DDR4-2666 CL19 ECC (M391A1K43BB2-CTD)

    zu den alternativen Produktvorschlägen
    HerstellerSamsung , Samsung DDR4-RAM
    Artikelnummer des HerstellersM391A1K43BB2-CTD
    Markteinführung 06.11.2018
    Kapazität
    Arbeitsspeicher 8 GB
    Konfiguration der Speicherriegel 1 Modul
    Geschwindigkeit
    Arbeitsspeicher-Typ DDR4-2666MHz (PC4-21300)
    CAS latency (CL) 19
    Ras to Cas delay (tRCD) 19
    Row Precharge (tRP) 19
    Speicheraufbau
    Anzahl der RAM-Module 1
    Spannung 1,25 Volt
    Speicher Sockel DIMM
    Ausstattung
    Besonderheiten Error Correcting Codes (ECC)
    Speicherhöhe 3,1 cm
    Aufbau des Riegels Single-Rank
    JEDEC-Norm DDR4-2666 / PC4-21300 @ 1,2 V
    Produktseite beim Hersteller
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    QuelleHardwareSchotte.de
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